Большая Советская энциклопедия (--) [БСЭ БСЭ] (fb2) читать постранично


 [Настройки текста]  [Cбросить фильтры]

Большая Советская Энциклопедия (--)

1,2,3-Бензотриазол

1,2,3-Бензотриазо'л, органическое соединение; белые игольчатые кристаллы; tпл 96—98,5°С, в воде не растворяется, растворим в спирте, бензоле. Получают Б. действием KNO2 на о-фенилендиамин в кислой среде. Применяют в аналитической химии для осаждения и количественного определения металлов (например, Cu, Ag, Zn), а также в фотографии как антивуалирующее средство.

1,2,3-Бензотриазол.

(обратно)

2,4-Д

2,4-Д, сокращённое название одного из гербицидов — 2,4-дихлорфеноксиуксусной кислоты.

(обратно)

«30 лет Советской Армии и Флота»

«30 лет Сове'тской А'рмии и Фло'та», медаль; см. в ст. Медали СССР.

(обратно)

«40 лет Вооружённых Сил СССР»

«40 лет Вооружённых Сил СССР», медаль, см. в ст. Медали СССР.

(обратно)

8-Оксихинолин

8-Оксихиноли'н, (-оксихинолин, оксин, светло-жёлтые кристаллы; tпл 75—76 °С;

растворим в органических растворителях, щелочах и кислотах, в воде — плохо. Способность 8-О. образовывать со многими катионами металлов малорастворимые в водных растворах (уксусной кислоты, аммиака и др.) кристаллические внутрикомплексные соли (хелаты), например Mg (C9H6ON)2, Al (C9H6ON)3, используется на практике для определения и разделения ряда металлов (Al, Zn, Cd, Mg и др.). Некоторые производные 8-O. применяют в качестве фунгицидов [например, медную соль (C9H6ON)2Cu] и антисептиков амёбоцидного и наружного действия (например, хинозол, энтеросептол, ятрен).

(обратно)

«Academia»

«Académia», советское издательство. Основано в 1922 в Петрограде как частное, затем преобразовано в издательство при Государственном институте истории искусств в Ленинграде. После перевода в Москву в 1938 слилось с Гослитиздатом. Председателем редакционного совета «А.» был М. Горький. С конца 20-х гг. издательство выпускало серии книг: «Сокровища мировой литературы», «Классики мировой литературы», «Памятники литературного, общественного, художественного быта и искусства», а также памятники литературы народов СССР и др. Издания «А.» обычно сопровождались вступительными статьями, научными комментариями, отличались высокой культурой полиграфического оформления.

(обратно)

L-формы бактерий

L-фо'рмы бакте'рий, см. Формы бактерий.

(обратно)

Monumenta Germaniae Historica

Monumenta Germaniae Historica (лат., сокращенно MGH), Памятники истории Германии, многосерийное издание источников по истории Германии 500—1500. Публикация начата в 1826 обществом по изучению ранней германской истории (основана в 1819 по инициативе Г. Ф. К. Штейна). В 1823—73 изданием руководил Г. Пертц. В 1875 была создана центральная дирекция MGH. С 1946 публикацией ведает специальный институт под названием «MGH. Герм. институт по изучению средневековья» (центральная дирекция находится с 1948 в Мюнхене), отделения MGH имеются при АН ГДР и при Австрийской АН в Вене.

  Публикация состоит из пяти основных серий: I. Исторические писатели (лат. Scriptores, сокращенно SS); II. Законы (Leges, LL); III. Грамоты (королей и императоров) (Diplomata, DD); IV. Письма (Epistolae, Epp); V. Древности (Antiquitates, АА). В процессе работы появился ряд дополнений, а также переиздания, в том числе сокращённые для учебных целей (в пер. на немецкий язык — Geschichtsschreiber der deutschen Vorzeit, v. 1—103, 1847—1959). В подготовке публикаций приняли участие крупные учёные (Г. Вайц, В. Ваттенбах и др.).

(обратно)

p-n-переход

p-n-перехо'д, то же, что электронно-дырочный переход.

(обратно)

S-матрица

S-ма'трица, то же, что матрица рассеяния.

(обратно)

S-приборы

S-прибо'ры, полупроводниковые приборы, действие которых основано на S-oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (см. рис.). У полупроводниковых приборов существует 2 типа нелинейных вольтамперных характеристик. Один из них характеризуется N-oбразной формой (см. Туннельный диод, Ганна диод), другой — S-oбразной. S-п. реализуются различными способами. Первым S-п. был кристадин. К S-п. относятся четырёхслойные структуры, в которых чередуются слои полупроводника с проводимостями n- и р-типов (тетристор). Четырёхслойная структура содержит три рn-перехода (см. Электронно-дырочный переход). Рабочий диапазон токов и напряжений тетристоров колеблется от единиц до десятков и сотен а и от десятков до нескольких сотен в и выше. Др. распространённым S-п. является двухбазовый диод