Россия - родина Радио. Исторические очерки [Владимир Григорьевич Бартенев] (fb2) читать постранично, страница - 3


 [Настройки текста]  [Cбросить фильтры]

Именно на этом заводе и были созданы лампы, вызвавшие восторг даже у американцев. Только не 60 лет назад, а уже в наши дни. (см. статью на http://www.radiomuseum.org «Russian Subminiature Tubes constructed entirely differently from other subminiature tubes»). Таких ламп не было нигде в мире. Это стержневые радиолампы. Автором идеи использования вместо витых сеток стержневых электродов был Авдеев Валентин Николаевич, имя которого сейчас мало кому известно. Надежность таких ламп превышала 5000 часов. Они обладали удивительной экономичностью и, как показывает американский автор в своей статье, по сравнению с американскими миниатюрными лампами обладают заметно более высокими характеристиками. Эти лампы не устанавливались в панельки при монтаже, а впаивались как резисторы и конденсаторы на платы радиоаппаратуры.

В 1950-е годы электронные приборы получили массовое распространение, их номенклатура расширилась от усилительных и генераторных радиоламп разных типов и характеристик до электронно-лучевых трубок разных размеров и очень чувствительных фотоэлектронных приборов. Опять наступило насыщение в развитии радиоэлектроники. Нужен был новый качественный скачок для ее новой модернизации.

Появление к концу Второй мировой войны полупроводниковых усилительных приборов — транзисторов — указало на начало третьего этапа в развитии радиоэлектроники. Полупроводники были известны давно и широко использовались в качестве детекторов и выпрямителей. Исторически первым устройством, в котором полупроводник заменил электронную лампу, был изобретенный в 1922 г. сотрудником Нижегородской радиолаборатории О.В. Лосевым приемник, известный под названием «кристадин» [5]. Однако недостаточное в то время теоретическое и экспериментальное знание свойств полупроводников не позволило этому изобретению оказать заметное влияние на развитие радиоэлектроники. Только изобретение в США в 1948 г. транзистора [6], способного заменить электронную лампу, привело к широкому проникновению полупроводников в радиоэлектронику.

Новый исторический этап развития радиоэлектроники наступил с изобретением транзисторов. Полупроводниковые триоды, как тогда их называли, становятся непременной и существенной частью радиоэлектронных систем. Их применение приводит к коренным изменениям в радиоэлектронной аппаратуре — как схемотехническим, так и конструктивным.

Первые промышленные разработки полупроводниковых приборов в СССР относятся к 1947 году, когда в НИИ «ИСТОК» были внедрены в производство СВЧ диоды для радиолокационных систем сантиметрового и миллиметрового диапазонов. Эти работы были проведены под руководством А.В. Красилова. Первая публикация в СССР 1948 года под названием «Кристаллический триод» также принадлежит А.В. Красилову [7]. Он же в 1949 г. совместно с С.Г. Мадоян создает первый в СССР макетный образец действующего транзистора. 14 сентября 2010 года в ФГПУ «Пульсар» отмечалось столетие со дня рождения А.В. Красилова — создателя первых отечественных транзисторов, д. т. н., лауреата Сталинской премии, заслуженного деятеля науки Российской Федерации.

Первыми транзисторами, выпущенными отечественной промышленностью в НИИ «ИСТОК» (НИИ-160) были точечные триоды КС1, КС2, КСЗ, КС4, КС5, КС6, КС7, и КС8. Первые шесть типов предназначались для использования в усилительных схемах на частотах не выше 5 МГц, два последних типа были предназначены для генерирования колебаний до 1,5 МГц (КС7) и до 5 МГц (КС8). Вскоре триоды типа КС были сняты с производства и заменены новой модификацией более высокочастотных (до 10 МГц) точечных триодов С1 (усилительные триоды) и С2 (генераторные триоды) и их варианты в герметичных корпусах СЗ и С4.

Первыми промышленными типами плоскостных триодов в СССР являлись сплавные германиевые триоды типа П1, П2 и ПЗ, выпуск которых начался с 1955 г. (первые варианты этих триодов имели маркировку КСВ-1, КСВ-2 и КСВ-3). Вскоре на смену этих транзисторов пришли мощные транзисторы П4 и миниатюрные транзисторы П5. Максимально допустимый ток коллектора для триодов П4 составлял 5А. А транзисторы П5 отличались низким коэффициентом шумов, допускающим их использование во входных каскадах высокочувствительных усилителей низкой частоты, например в слуховых аппаратах. Более совершенным транзистором можно считать появившийся в то время плоскостной триод П6, который выпускался по технологии с применением точечной и кольцевой сварки, заменившей пайку. Такое усовершенствование обеспечивало высокую устойчивость к механическим нагрузкам. Срок службы триодов П6 возрос до 5000 ч, а максимальная рабочая температура до +100 °C. В дальнейшем модификация триодов П6 получила наименование П13, П14 и П15.

Наряду с этими триодами типа р-n-р был освоен выпуск симметричных по отношению к триодам П13-П15 германиевых n-р-n триодов П8, П9 и П11. Наряду с германиевыми был освоен выпуск кремниевых n-p-n транзисторов П101, П102, П103, П104, П105 и П106. Эти триоды предназначены для работы при температуре